喜訊,！昆博研究院牽頭起草又一國家標(biāo)準(zhǔn)獲批正式立項(xiàng),！
日前,，全國標(biāo)準(zhǔn)信息公共服務(wù)平臺公開發(fā)布信息,，由昆山昆博智能感知產(chǎn)業(yè)技術(shù)研究院有限公司牽頭起草的《微機(jī)電系統(tǒng)（MEMS）技術(shù)MEMS硅壓阻溫壓復(fù)合壓力傳感器芯片》獲批立項(xiàng),，正式進(jìn)入起草階段,，這是該研究院第二次牽頭制定國家標(biāo)準(zhǔn),。
近年來,，昆山昆博智能感知產(chǎn)業(yè)技術(shù)研究院有限公司憑借其專業(yè)的技術(shù)水平和研發(fā)實(shí)力,，牽頭起草制定了國家標(biāo)準(zhǔn)《微機(jī)電系統(tǒng)（MEMS）技術(shù)傳感器用MEMS壓電薄膜的環(huán)境試驗(yàn)方法》,，并牽頭成立了MEMS高端裝備應(yīng)用標(biāo)準(zhǔn)化研究組，為我國在MEMS技術(shù)領(lǐng)域的標(biāo)準(zhǔn)化工作以及相關(guān)產(chǎn)業(yè)發(fā)展不斷助力,。此外,，該研究院還積極參與了《MEMS壓阻式壓力敏感器件性能試驗(yàn)方法》《微機(jī)電系統(tǒng)（MEMS）技術(shù)MEMS材料微柱壓縮試驗(yàn)方法》《微機(jī)電系統(tǒng)（MEMS）技術(shù) 薄膜力學(xué)性能的鼓脹試驗(yàn)方法》等國家標(biāo)準(zhǔn)的起草制定工作。
標(biāo)準(zhǔn)背景
隨著我國航空航天,、工業(yè)等領(lǐng)域的快速發(fā)展,，許多場景任務(wù)提出了多物理量、多參數(shù)并行測量和處理的要求,，一體化多功能復(fù)合傳感器受到越來越多的關(guān)注,。市面上常見的比較成熟的復(fù)合傳感器是溫度和壓力兩個物理量的測量。采用溫度與壓力集成芯片的方式實(shí)現(xiàn)單芯片多功能同時測量溫度和壓力信息,，復(fù)合壓力傳感器芯片測溫元件可以準(zhǔn)確反映壓力傳感器工作環(huán)境溫度,，從而為溫度補(bǔ)償提供準(zhǔn)確參考依據(jù)，提高傳感器精度,，同時MEMS硅壓阻溫壓復(fù)合壓力傳感器芯片能夠降低傳感器尺寸,，提高集成度。
目前,，國內(nèi)外沒有關(guān)于MEMS硅壓阻溫壓復(fù)合壓力傳感器芯片專用標(biāo)準(zhǔn),，用戶和生產(chǎn)廠家之間沒有統(tǒng)一的質(zhì)量技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)。本項(xiàng)目研究制定關(guān)于MEMS硅壓阻溫壓復(fù)合壓力傳感器芯片通用技術(shù)標(biāo)準(zhǔn),，對適用于航空航天,、工業(yè)、能源開發(fā)等領(lǐng)域的MEMS硅壓阻溫壓復(fù)合壓力傳感器芯片基本性能要求及測試方法進(jìn)行了規(guī)定,。研制我國自主的MEMS硅壓阻溫壓復(fù)合壓力傳感器芯片國家標(biāo)準(zhǔn),，將彌補(bǔ)我國該領(lǐng)域的標(biāo)準(zhǔn)空白，加快我國MEMS硅壓阻溫壓復(fù)合壓力傳感器芯片研發(fā),、生產(chǎn)效率,，降低產(chǎn)品成本，提高我國MEMS硅壓阻溫壓復(fù)合壓力傳感器芯片產(chǎn)品質(zhì)量,，引領(lǐng)國產(chǎn)MEMS硅壓阻溫壓復(fù)合壓力傳感器芯片進(jìn)入國際市場,。
