隨著我國(guó)航空航天,、工業(yè)等領(lǐng)域的快速發(fā)展，許多場(chǎng)景任務(wù)提出了多物理量,、多參數(shù)并行測(cè)量和處理的要求,，一體化多功能復(fù)合傳感器受到越來(lái)越多的關(guān)注,。市面上常見(jiàn)的比較成熟的復(fù)合傳感器是溫度和壓力兩個(gè)物理量的測(cè)量。采用溫度與壓力集成芯片的方式實(shí)現(xiàn)單芯片多功能同時(shí)測(cè)量溫度和壓力信息,，復(fù)合壓力傳感器芯片測(cè)溫元件可以準(zhǔn)確反映壓力傳感器工作環(huán)境溫度，從而為溫度補(bǔ)償提供準(zhǔn)確參考依據(jù),，提高傳感器精度,，同時(shí)MEMS硅壓阻溫壓復(fù)合壓力傳感器芯片能夠降低傳感器尺寸,，提高集成度。

目前,，國(guó)內(nèi)外沒(méi)有關(guān)于MEMS硅壓阻溫壓復(fù)合壓力傳感器芯片專用標(biāo)準(zhǔn),，用戶和生產(chǎn)廠家之間沒(méi)有統(tǒng)一的質(zhì)量技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)。本項(xiàng)目研究制定關(guān)于MEMS硅壓阻溫壓復(fù)合壓力傳感器芯片通用技術(shù)標(biāo)準(zhǔn),，對(duì)適用于航空航天、工業(yè),、能源開(kāi)發(fā)等領(lǐng)域的MEMS硅壓阻溫壓復(fù)合壓力傳感器芯片基本性能要求及測(cè)試方法進(jìn)行了規(guī)定,。研制我國(guó)自主的MEMS硅壓阻溫壓復(fù)合壓力傳感器芯片國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)，將彌補(bǔ)我國(guó)該領(lǐng)域的標(biāo)準(zhǔn)空白,，加快我國(guó)MEMS硅壓阻溫壓復(fù)合壓力傳感器芯片研發(fā),、生產(chǎn)效率，降低產(chǎn)品成本,，提高我國(guó)MEMS硅壓阻溫壓復(fù)合壓力傳感器芯片產(chǎn)品質(zhì)量,，引領(lǐng)國(guó)產(chǎn)MEMS硅壓阻溫壓復(fù)合壓力傳感器芯片進(jìn)入國(guó)際市場(chǎng)。